最近，第三代长禁带半导体的碳化硅SiC被提到的较为多，各大厂家（像Infineon、Cree、Rohm等）也都在大力展开碳化硅产品的布局。功率半导体器件尤为功率转换系统的核心器件，限于于高压低损耗的第三代长禁带半导体的SiC器件未来可期！接下来我们就来聊聊SiC的那些事儿～多达，2010年世界平均值电能的消耗与总电能消耗的比例大约为20％，这一比率仍在很快地快速增长。能源效率的提升作为21世纪尤为注目的问题之一，即增大电能切换中的功率损耗。

我们告诉，电力切换还包括AC－DC，DC－AC，DC－DC（电压切换）和AC－AC（电压或频率切换），约束这些转换系统效率的主要因素乃是其中半导体器件的性能，所以研究和发展功率半导体器件沦为提高效率的关键手段。功率设备按电压等级可以分成高压、中压和高压等，我们告诉，目前功率半导体器件的主要材料是硅Si，硅基的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和绝缘栅双极型晶体管IGBT经过这么多年的发展和提升，早已沦为当今电力电子设备中的核心。但是，硅功率器件的技术早已比较成熟期了，使得该技术的创意、更进一步突破变得没那么更容易。这时候，第三代半导体的经常出现乃是无意间中的必定，而新事物的发展也必须非常宽的一个过程！碳化硅SiC是具备独有物理和化学特性的IV－IV复合材料，Si和C原子之间的稳固化学键使得其具备高硬度、化学惰性和高效的导热性；稳固的融合还为其获取了较宽的带隙和低的临界（穿透）电场强度。

在许多的长禁带半导体中，SiC之所以这么出众，因为其长掺入范围（10＾14～10＾19／cm＆sup3；）在n－和p－型中的掌控比较更容易。同时，SiC需要构成二氧化硅SiO2作为天然氧化物的能力是其限于于器件生产的另一个优势。以上特性使SiC倍受注目，但是任何新事物的发展并没那么更容易。

SiC的物理和化学稳定性使得其晶体生长十分艰难，这也是其成本较高的因素之一。具备有所不同填充顺序的各种SiC晶体结构的不存在也是其晶体生长的障碍。

在众多晶体结构中，4H－SiC沦为功率器件的自由选择，因为其可以取得高质量的外延晶片和卓越的物理特性，比如低的穿透电场强度。其中空心圆代表Si，实心圆代表C，这种结构展现出为六边形结构，在晶胞内部具备四个Si－C双层。

这种填充顺序是闪锌矿和纤锌矿结构的混合体，4H－SiC是功率器件材料中配置文件的SiC晶体结构。下面我们再行来想到室温下Si和SiC的主要物理特性：从下诏中我们可以显现出，SiC带上隙大三倍、穿透电场强度约低十倍、热导率是Si的三倍。其中，电子迁移率，平行方向的比横向的高约15％～20％，这不利于研发标准的横向功率器件SiC晶片。

就目前来说，SiC和氮化镓GaN都归属于长禁带半导体，SiC功率器件具备高品质的外延晶片以及比GaN更加成熟期的工艺技术，所以其在高压应用于中极具吸引力。在大型硅晶片上异质外延生长的GaN基纵向电源器件在比较低电压的应用于中表明出有相当大的前景。当然，两者以及Si的发展还必须基于其生产设备以及工艺技术来评估。

SiC于是以乘风破浪，未来可期～后面的几天我们将环绕SiC来聊聊，今天的内容期望你们需要讨厌！。

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